金属有机物化学气相沉积法生长Ga2(1-χ)In2χO3薄膜的结构及光电性能研究

• 作者: 孔令沂 朱振 杨帆 栾彩娜 马瑾
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 金属有机物化学气相沉积 Ga2(1-χ)In2χO3 薄膜 蓝宝石衬底 退火
• 年，卷（期）: 2009,（10）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 7079-7082
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.067

摘要

采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在蓝宝石(0001)衬底上制备出了Ga2(1-χ)In2χO3(χ=0.1-0.9)薄膜,研究了薄膜的结构、电学和光学特性以及退火处理对薄膜性质的影响.测量结果表明:当In组分χ=0.2时,样品为单斜β-Ga2O3,结构;χ=0.5的样品,薄膜呈现非晶结构,退火处理后薄膜结构得到明显的改善,由非晶结构转变为具有(222)单一取向的立方In2O3结构;对于χ=0.8,薄膜为立方In2O3,结构,退火后薄膜的晶体质量得到提高.在可见光区薄膜本身的透过率均达到了85%以上,带隙宽度随样品中Ga含量的改变在3.76-4.43 eV之间变化,且经退火处理后带隙宽度明显增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马瑾	山东大学物理学院	44	495	13.0	20.0
2	杨帆	山东大学物理学院	49	229	9.0	12.0
3	孔令沂	山东大学物理学院	1	0	0.0	0.0
4	栾彩娜	山东大学物理学院	2	17	1.0	2.0
5	朱振	山东大学物理学院	1	0	0.0	0.0