前端接触势垒高度对非晶硅和微晶硅异质结太阳电池的影响

• 作者: 刘艳 吕斌 张勇 张红英 汤乃云 王基庆
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 铟锡氧化物 非晶硅 微晶硅 计算机模拟
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 2829-2835
• 页数: 7页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.04.112

摘要

运用AMPS-1D(Analysis of Microelectronic and Photonic Structures) 程序系统分析了前端接触(铟锡氧化物)的势垒分别对非晶硅和微晶硅太阳电池性能的影响,比较了两种影响的差异并分析了具体原因. 研究表明:与微晶硅相比,非晶硅受铟锡氧化物功函数ΦITO的影响更加显著. 随着ΦITO的增加非晶硅的各项物理性能(如太阳电池效率、填充因子等)得到明显改善,而微晶硅的各项参数虽然也随ΦITO增加而改变,但更容易趋于饱和. 模拟结果显示,在实际的太阳电池装备过程中可根据前端电极的性能来选择合适的p型硅材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张勇	华东师范大学电子科学与工程系	65	879	15.0	29.0
2	王基庆	华东师范大学电子科学与工程系	9	37	3.0	6.0
3	刘艳	华东师范大学电子科学与工程系	17	52	5.0	7.0
4	汤乃云	上海电力学院计算机与信息工程学院	19	40	3.0	5.0
5	吕斌	华东师范大学电子科学与工程系	1	8	1.0	1.0
6	张红英	华东师范大学电子科学与工程系	1	8	1.0	1.0