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摘要:
基于TSMC0.5 μm CMOS工艺,设计了一款带隙基准源电路.与传统电压基准相比,该电路运用高增益的运算放大器进行内部负反馈.采用嵌套式密勒补偿,设计的低温漂、高电源抑制、低功耗的带隙基准电压源.仿真结果显示,该电路所产生的基准电压精度为13.2×10-6/℃,低频时的电源抑制为-98 dB,静态工作电流为3 μA.
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文献信息
篇名 一款新颖的带隙基准电压源设计
来源期刊 电子科技 学科 工学
关键词 带隙基准 嵌套密勒补偿 高电源抑制
年,卷(期) 2010,(9) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 21-23
页数 分类号 TN710
字数 1097字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1007-7820.2010.09.007
五维指标
作者信息
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1 贺炜 西安邮电学院电子工程学院 8 20 3.0 4.0
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研究主题发展历程
节点文献
带隙基准
嵌套密勒补偿
高电源抑制
研究起点
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相关学者/机构
期刊影响力
电子科技
月刊
1007-7820
61-1291/TN
大16开
西安电子科技大学
1987
chi
出版文献量(篇)
9344
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