六方GaN空位缺陷的电子结构

• 作者: 介伟伟 杨春
• 来源期刊: 四川师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 第一性原理 六方GaN 能带结构 态密度
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 页码范围: 803-807
• 分类号: O472+.1|O484
• 字数: 3848字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8395.2010.06.017

摘要

用基于密度泛函理论平面波超软赝势法对六方GaN空位型本征点缺陷进行了理论研究.计算了GaN、Ga0.875N,Ga0.750N,GaN0.875和GaN0.750等5种模型(Ga和N不同比例情况下的空位型GaN)的能带结构、差分电子密度、电子态密度,详细讨论了各种空位缺陷对GaN性能的影响.结果显示,带隙宽度随着Ga空位或N空位的增加而不断增大,Ga空位是一种受主缺陷,N空位是施主缺陷;N空位的增加导致GaN电导率的下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨春	四川师范大学物理与电子工程学院	35	313	10.0	16.0
5	介伟伟	四川师范大学物理与电子工程学院	2	8	1.0	2.0