LDO线性稳压器中CMOS带隙基准电路的设计

• 作者: 张睿 谢亚伟
• 来源期刊: 仪器仪表用户
• 学科: 工学
• 关键词: 带隙基准 LDO稳压器 温度系数 电源抑制比
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 经验交流
• 页码范围: 65-66
• 页数: 2页
• 分类号: TN47
• 字数: 1680字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-1041.2010.01.033

摘要

设计了一款应用于LDO线性稳压器的高性能CMOS带隙基准电路,详细分析了它的工作原理,并给出了具体电路、仿真波形以及分析数据.该电路的主要特点是采用双PN结串联和基极电流补偿的结构,并引入衬底电压产生电路,具有很好的温度特性和很高的电源抑制比.当温度从-40～125℃变化时,温度系数约为37ppm/℃;同时,其电源抑制比(PSRR)为76.3dB.此外,该电路还可为LDO中其它电路模块提供PTAT电流.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张睿	合肥工业大学微电子设计研究所	11	29	4.0	5.0
2	谢亚伟	合肥工业大学微电子设计研究所	1	2	1.0	1.0