p-n结的隧道击穿模型研究

• 作者: 吴研 尚春宇 杜艳秋
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 物理学
• 关键词: 隧道击穿 势垒 p-n结
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 页码范围: 263-265
• 分类号: O471.5
• 语种: 中文

摘要

建立了抽象化的理论模型对p-n结隧道击穿机理进行定量研究,在理论模型的基础上探讨了电子势垒的形状以及势垒形状随外加电压的变化,并进行定量计算,得出隧穿电压随杂质掺杂浓度的变化规律.所得结论与硅、锗p-n结实验数据相吻合,证明了所建立的理论模型在定量研究p-n结的隧道击穿中的合理性与实用性.该理论模型对研究一般材料或器件的隧道击穿具有重要的借鉴意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜艳秋	黑龙江科技学院电信学院	8	24	3.0	4.0
2	尚春宇	黑龙江科技学院电信学院	7	6	1.0	1.0
6	吴研	黑龙江科技学院电信学院	2	2	1.0	1.0