一种基于BCD工艺的850 nm光接收芯片的研制

• 作者: 李继芳 程翔 颜黄苹 黄元庆
• 来源期刊: 厦门大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 光接收芯片 BCD 探测器 前置放大器
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 640-644
• 分类号: TN491
• 字数: 2392字
• 语种: 中文

摘要

采用0.5 μm BCD工艺研制了一种850 nm光接收芯片,包括光电探测器、跨阻前置放大器及后续处理电路.通过器件模拟设计并分析了基于BCD工艺的光电探测器的结构及其特性;设计光接收芯片的增益约为43.23 kΩ,上限截止频率为700 MHz.测试结果表明,探测器暗电流为pA量级,响应度为0.08 A/W.光接收芯片功耗约为100 mW,电噪声为4 nW;在输入313 Mbit/s非归零伪随机二进制序列调制的信号及无误码的情况下,灵敏度为-13.0 dB·m;该光接收芯片速率可达622 Mbit/s.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程翔	厦门大学物理与机电工程学院	23	63	5.0	6.0
2	颜黄苹	厦门大学物理与机电工程学院	22	115	7.0	9.0
3	黄元庆	厦门大学物理与机电工程学院	96	1047	17.0	29.0
4	李继芳	厦门大学物理与机电工程学院	14	82	5.0	8.0