图形反转方法制备MEMS器件电极的研究

• 作者: 彭自求 王军 蒋亚东 袁凯
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: AZ5214光刻胶 图形反转 倒台面 反转烘
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 557-560
• 分类号: TN305.7
• 字数: 3012字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2010.05.008

摘要

研究了利用AZ5214光刻胶图形反转实现抗腐蚀金属NiCr剥离的关键工艺步骤,该方法可以用于制备金属电极,进而优化器件性能.理论上讨论了图形反转的形成机理,根据Dill理论对光刻胶曝光模型进行了推导,并使用MATLAB模拟工具对其进行了仿真.通过优化各项工艺参数,得到了最佳倒台面结构,并制备了精度达到1μm宽的用于MEMS器件的金属NiCr电极.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋亚东	电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	318	2024	18.0	25.0
2	王军	电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	115	936	14.0	26.0
3	袁凯	电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	22	200	9.0	13.0
4	彭自求	电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	3	32	3.0	3.0