高温离子注入靶盘设计

• 作者: 刘威成 王慧勇 贾京英 颜秀文
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 高温离子注入靶室 晶片爪 设计 热分析
• 年，卷（期）: 2010,（11）
• 页码范围: 7-9,13
• 分类号: TN305
• 字数: 2608字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2010.11.003

摘要

简要介绍了高温离子注入靶室的设计.通过设计辅助加热装置使离子注入时晶片表面温度达到500℃以上,并通过靶盘旋转和往返平移扫描的方式实现了晶片片内和片间的温度均匀性,满足了碳化硅掺杂、SOI晶片制造等特殊需要.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	颜秀文	中国电子科技集团公司第四十八研究所	12	53	4.0	7.0
2	贾京英	中国电子科技集团公司第四十八研究所	10	25	3.0	4.0
3	王慧勇	中国电子科技集团公司第四十八研究所	7	10	2.0	3.0
4	刘威成	中国电子科技集团公司第四十八研究所	1	0	0.0	0.0