温度对SiO2表面上磁控溅射制备Ge纳米点的生长模式和尺寸的影响

• 作者: 夏中高 李亮 杨宇 王茺 鲁植全
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 磁控溅射 Ge纳米点 SiO2薄膜
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 961-965
• 分类号: O484.1
• 字数: 3412字
• 语种: 中文

摘要

采用磁控溅射技术在SiO2/Si(100)表面上制备了一系列不同生长温度的Ge纳米点样品.原子力显微镜(AFM)的实验结果表明:不同衬底温度下Ge纳米点在SiO2薄膜上的生长模式和尺寸分布有所不同.当衬底生长温度达到500 ℃时,SiO2开始与Ge原子发生化学反应,并形成"Ge纳米点的Si窗口".在此温度条件下,外延生长实验可获得尺寸均匀且密度高达3.2×1010 cm-2的Ge纳米点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨宇	云南大学光电信息材料研究所	101	377	9.0	12.0
2	王茺	云南大学光电信息材料研究所	50	148	7.0	8.0
3	李亮	云南大学光电信息材料研究所	9	41	3.0	6.0
4	鲁植全	云南大学光电信息材料研究所	4	24	3.0	4.0
5	夏中高	云南大学光电信息材料研究所	2	8	2.0	2.0