硅抛光片表面颗粒度控制

• 作者: 宋晶 张伟才 杨洪星 武永超 赵权
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 兆声波清洗 硅片湿法化学清洗 颗粒去除
• 年，卷（期）: 2010,（10）
• 页码范围: 20-22,47
• 分类号: TN305.2
• 字数: 2356字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2010.10.006

摘要

硅片表面的颗粒、有机物、金属、吸附分子、微粗糙度、自然氧化层等会严重影响器件性能,其中表面颗粒度会引起图形缺陷、外延缺陷、影响布线的完整性,是高成品率的最大障碍.探讨了如何减少硅表面颗粒度的方法.第一部分从兆声波清洗的机理出发,研究了清洗温度及清洗时间对硅抛光片表面颗粒度的影响:第二部分通过实验对比了增加多片盒清洗工艺对硅抛光片表面颗粒度的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵权	中国电子科技集团公司第四十六研究所	30	136	6.0	9.0
2	宋晶	中国电子科技集团公司第四十六研究所	8	17	3.0	3.0
3	杨洪星	中国电子科技集团公司第四十六研究所	50	145	6.0	8.0
4	张伟才	中国电子科技集团公司第四十六研究所	22	42	4.0	4.0
5	武永超	中国电子科技集团公司第四十六研究所	7	28	4.0	5.0