基于PVC薄膜的汞离子光寻址电位传感器

• 作者: 张舟娜 李毅 王平 蔡巍 高小明
• 来源期刊: 浙江大学学报(工学版)
• 学科: 化学
• 关键词: 汞离子传感器 中性载流子敏感膜 光寻址电位传感器
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 页码范围: 1231-1236
• 页数: 6页
• 分类号: O657.15
• 语种: 中文
• DOI: 10.3785/j.issn.1008-973X.2010.06.033

摘要

通过不同浓度溶液的试验,对一种新型聚氯乙稀(PVC)薄膜汞离子敏感光寻址电位传感器进行了研究,PVC薄膜中的敏感物为5-amino-1,3,4-thiadiazole-2-thiol.采用硅烷化反应对光寻址电位传感器进行表面修饰,硅烷化前后的器件对单位pH(氢离子)的灵敏度分别为每67.299 mV和4.999 6 mV,线性相关系数分别为0.983 1和0.987 7.PVC膜成聚后,该传感器对汞离子有选择性的电位响应特性,显示了良好的重复性和稳定性,单位pHg(汞离子)的灵敏度为15.381 mV,线性相关系数为0.962 9,对其他离子的抑制比大于4.实验得到的检出下限为1.57 μg/L,响应时间为2～4 s,适用pH范围为3～6.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王平		170	1293	20.0	30.0
2	蔡巍		19	123	8.0	10.0
3	李毅		16	191	8.0	13.0
4	张舟娜		1	0	0.0	0.0
5	高小明		1	0	0.0	0.0