Au-Si共晶扩散连接单晶硅接头的微观组织和性能研究

• 作者: 孙兵兵 张赋升 李京龙 熊江涛 籍成宗
• 来源期刊: 焊接
• 学科: 工学
• 关键词: Au-Si共晶 单晶硅 扩散连接
• 年，卷（期）: 2010,（9）
• 页码范围: 43-46
• 分类号: TG456.9
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-1382.2010.09.010

摘要

采用直接共晶和预共晶连接两种方法,对块体单晶硅扩散连接进行试验研究.结果表明:单晶硅接头界面主要由残留Au层、桥状硅和微孔组成.试验中微孔是个难以避免的缺陷,但随着连接温度升高,微孔数量会减少,即焊合率会增大.预共晶连接能有效地阻止微孔的产生,700℃时预共晶连接焊合率达87%.而直接共晶连接仅57%.预共晶连接接头抗拉强度较直接共晶连接低.因为预共品连接主要在Au层发生断裂,故预共晶连接的残留Au层是个弱结合.直接共晶连接残余Au层很薄,平均厚度不足0.34μm,断裂主要发生在Au-Si界面上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李京龙	西北工业大学摩擦焊接陕西省重点实验室	116	845	15.0	22.0
2	张赋升	西北工业大学摩擦焊接陕西省重点实验室	63	526	13.0	19.0
3	熊江涛	西北工业大学摩擦焊接陕西省重点实验室	64	603	14.0	22.0
4	籍成宗	西北工业大学摩擦焊接陕西省重点实验室	3	5	1.0	2.0
5	孙兵兵	西北工业大学摩擦焊接陕西省重点实验室	4	4	2.0	2.0