SOC中多片嵌入式SRAM的DFT实现方法

• 作者: 于忠臣 李莉 柏璐
• 来源期刊: 电子元器件应用
• 学科: 工学
• 关键词: 多片嵌入式SRAM MBIST 可测试设计
• 年，卷（期）: 2010,（7）
• 页码范围: 29-31
• 页数: 3页
• 分类号: TN911.72

摘要

多片嵌入式SRAM的测试一般由存储器内建自测试MBIST设计来完成。为了迎接多片SRAM的测试给DFT设计带来的挑战。文中以一款基于SMIC 0.13um工艺的OSD显示芯片为例,从覆盖率、面积、测试时间、功耗等方面分析了多片SRAM的MBIST设计,提出了一种可实现多片SRAM的快速高效可测试设计实现方法。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于忠臣	北京工业大学北京市嵌入式系统重点实验室	38	77	4.0	8.0
2	柏璐	北京工业大学北京市嵌入式系统重点实验室	4	2	1.0	1.0
3	李莉	北京工业大学北京市嵌入式系统重点实验室	16	73	5.0	8.0