应力类型与方向和沟道晶向对载流子迁移率的影响

• 作者: 全冯溪 应贤炜 杨洪刚 杨阳 王向展
• 来源期刊: 电子元器件应用
• 学科: 工学
• 关键词: 深亚微米 张应力 压应力 沟道晶向 压阻模型 Sentaurus
• 年，卷（期）: 2010,（8）
• 页码范围: 89-91
• 页数: 3页
• 分类号: TN386

摘要

利用Synopsys公司的Sentaurus TCAD软件,针对Si（100）面的〈100〉和〈110〉沟道,系统研究了张/压应力施加在MOS器件不同方向上对载流子迁移率的影响,同时给出了收益表格以供参考。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王向展	电子科技大学微电子与固体电子学院	32	142	7.0	9.0
2	杨阳	电子科技大学微电子与固体电子学院	14	11	2.0	3.0
3	全冯溪	电子科技大学微电子与固体电子学院	3	0	0.0	0.0
4	应贤炜	电子科技大学微电子与固体电子学院	2	0	0.0	0.0
5	杨洪刚	电子科技大学微电子与固体电子学院	2	0	0.0	0.0