硅通孔热应力导致器件迁移率变化分析

• 作者: 刘荡 姚奕彤 杨银堂 董刚
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 硅通孔 热应力 迁移率 阻止区
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 页码范围: 75-78,98
• 页数: 5页
• 分类号: TN401|O343.6
• 字数: 2839字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2017.06.014

摘要

针对硅通孔热应力导致的沿不同晶向放置的器件迁移率变化进行了讨论.依据弹性理论,铜和硅衬底之间的热膨胀系数失配能够产生硅通孔热应力,考虑压阻效应,热应力将导致载流子迁移率的变化.因此,文中首先依据平面应变理论,建立了硅通孔热应力的紧凑解析模型;接着利用Matlab仿真,分别得出了硅通孔热应力对沟道方向沿[100]和[110]的载流子迁移率的影响,并考虑到可靠性,定义了阻止区;最后,得出了[100]晶向和[-110]晶向应分别作为N沟道金属氧化物半导体器件和P沟道金属氧化物半导体器件的优先选择的结论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子学院	420	2932	23.0	32.0
2	董刚	西安电子科技大学微电子学院	36	121	7.0	9.0
3	姚奕彤	西安电子科技大学微电子学院	1	2	1.0	1.0
4	刘荡	西安电子科技大学微电子学院	2	3	1.0	1.0