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ZnO基稀磁半导体材料研究进展
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摘要：
ZnO是一种新型的宽禁带半导体材料,在ZnO中掺杂引入过渡金属磁性离子会形成稀磁半导体.ZnO基稀磁半导体材料可以同时利用电子的电荷属性和自旋属性,因此具有很多独特的性质和广泛的应用.本文对掺杂的ZnO基稀磁半导体材料的研究现状进行了总结.
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研究主题发展历程
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稀磁半导体
铁磁性
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期刊影响力
科技致富向导
主办单位：
山东省科学技术协会
出版周期：
半月刊
ISSN：
1007-1547
CN：
37-1264/N
开本：
16开
出版地：
山东省济南市
邮发代号：
24-75
创刊时间：
1993
语种：
chi
出版文献量（篇）
44672
总下载数（次）
88
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