自支撑GaN厚膜制备及其光学性能研究

• 作者: 卢铁城 曾一平 段瑞飞 羊建坤 胡强 霍自强 魏同波
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 氢化物气相外延 自支撑厚膜 应力释放 荧光
• 年，卷（期）: 2010,（12）
• 页码范围: 2169-2172
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2429字
• 语种: 中文

摘要

采用镀Ti插入层在氢化物外延设各中制各了高质量自支撑GaN厚膜.X射线衍射测试发现(0002)峰摇摆曲线的半高宽为260 aresee:5K下样品带边发光峰的半高宽为3 meV,室温下样品的带边发光峰也只有20 meV,并且在室温的PL谱中观察不到黄光带;扫描电子显微镜观察显示,腐蚀后的自支撑GaN厚膜表面有位错延伸形成的六角坑,并估算出样品位错密度约为2.1×107cm-2.这些结果说明镀Ti插入层有助于提高GaN外延层的晶体质量.通过Raman和低温荧光分析,可以看出自支撑GaN厚膜表面应力已经完全释放.研究了不同温度下样品的荧光特性,证明得到的无应力自支撑GaN厚膜具有很好的晶体质量和光学质量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡强	四川大学辐射物理及技术教育部重点实验室	16	94	7.0	9.0
3	曾一平	中国科学院半导体研究所	85	439	11.0	16.0
4	段瑞飞	中国科学院半导体研究所	8	34	4.0	5.0
5	卢铁城	四川大学辐射物理及技术教育部重点实验室	71	351	9.0	14.0
8	魏同波	中国科学院半导体研究所	13	254	7.0	13.0
9	羊建坤	中国科学院半导体研究所	1	0	0.0	0.0
10	霍自强	中国科学院半导体研究所	1	0	0.0	0.0