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摘要:
化合物半导体集成电路具有超高速、低功耗、多功能、抗辐射等特性而被和泛应用.GaAs、GaN、SiC为主要应用的化合物半导体材料。简单介绍化合物半导体材料和硅材料对比下的优势及由GaAs、GaN、SiC构成的部分器件的工作原理及特性。
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文献信息
篇名 浅谈化合物半导体材料
来源期刊 电脑知识与技术:学术交流 学科 工学
关键词 化合物半导体材料 GAAS GAN SIC
年,卷(期) 2010,(02Z) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 1238-1239
页数 2页 分类号 TP331
字数 语种
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 郝斌 5 7 2.0 2.0
2 温凯 4 7 2.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
化合物半导体材料
GAAS
GAN
SIC
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电脑知识与技术:学术版
旬刊
1009-3044
34-1205/TP
安徽合肥市濉溪路333号
26-188
出版文献量(篇)
41621
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