两步法制备的CulnGaSe2薄膜中Ga的富集现象

• 作者: 刘江 宋军 庄大明 张弓 李春雷
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 太阳能电池 铜铟镓硒 两步法 预制膜硒化 背电极富集
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 太阳能利用技术
• 页码范围: 641-645
• 分类号: TKS13
• 字数: 2840字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2011.05.26

摘要

采用预制膜硒化两步法制备CIGSe薄膜,采用X射线衍射方法分析薄膜的结构,采用荧光光谱分析和俄歇电子能谱分析方法检测分析薄膜的成分.研究结果表明CIGSe薄膜中Ga元素以置换原子的形式存在于CuInSe2相中,并且Ga具有背电极富集现象.富集现象弱化了Ga元素对禁带宽度的提高作用,并且由于薄膜背电极侧Ga含量过高导致背电极处缺陷浓度增加,从而降低了CIGSe薄膜的质量.结合Zhang等对CuInS2和CuGaSe2中缺陷对生成能的理论计算,本文认为较高的2Vcu- Gac缺陷对形成能造成了Ga元素的背电极富集现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张弓	清华大学机械工程系	81	914	16.0	27.0
2	庄大明	清华大学机械工程系	104	1374	22.0	32.0
3	刘江	清华大学机械工程系	13	91	5.0	9.0
4	李春雷	清华大学机械工程系	12	60	5.0	7.0
5	宋军	清华大学机械工程系	10	29	3.0	5.0