应用材料公司改进刻蚀技术，降低TSV（硅通孔）制造成本

• 来源期刊: 集成电路通讯
• 学科: 工学
• 关键词: 应用材料公司 刻蚀技术 制造成本 硅片 通孔 TSV 刻蚀速率 等离子源
• 年，卷（期）: jcdltx_2011,（1）
• 页码范围: 14
• 页数: 1页
• 分类号: TN305

摘要

应用材料公司发布了基于Applied Centura Silvia TM刻蚀系统的最新硅通孔刻蚀技术。新的等离子源可将硅刻蚀速率提高40％，快速形成平滑、垂直且具有高深宽比的通孔结构。这一高水平的杰出性能使Silvia系统首次将每片硅片的通孔刻蚀成本降低到10美元以下，