“限流环”对MPCVD法快速制备高质量金刚石膜的研究

• 作者: 吕继磊 吴宇琼 满卫东 翁俊
• 来源期刊: 金刚石与磨料磨具工程
• 学科: 工学
• 关键词: 微波等离子体 化学气相沉积 金刚石膜 气体流向
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 页码范围: 10-14
• 分类号: TQ164
• 字数: 2824字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-852X.2011.05.003

摘要

为了提高金刚石膜的沉积速率和沉积质量,本文通过在5 kW微波等离子体化学气相沉积装置(MPCVD)的腔体内添加“限流环”,运用较高的微波功率(4700 W)以较高的沉积速率(25.0μm/h)得到了高质量的金刚石膜.添加“限流环”后,明显改变了工作气体在腔体中的流向.在高功率微波下,工作气体能尽可能多地流经高能等离子体活化区,从而被更高效、充分地离化成含碳基团,以提高金刚石膜的沉积速率和沉积质量.利用扫描电子显微镜(SEM)、Raman光谱等表征手段研究了在改进前后装置中所沉积的金刚石膜的结构和质量,结果表明:利用较高的微波功率,能在改进后的MPCVD装置中高速沉积高质量的金刚石膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	满卫东	武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室	45	370	11.0	16.0
2	翁俊	武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室	33	102	4.0	8.0
3	吴宇琼	江汉大学化学与环境工程学院	19	76	5.0	8.0
4	吕继磊	武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室	8	81	5.0	8.0