Si+自注入Si晶体中缺陷分布的计算模拟

• 作者: 周原 杨宇 王茺 韦冬
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: SRIM程序 Si+ 自注入 W缺陷 D1线
• 年，卷（期）: 2011,（7）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 380-384
• 分类号: TN213
• 字数: 4183字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.07.002

摘要

在两体近似碰撞模型基础上,采用SRIM程序对自注入硅离子及其造成的损伤在样品的分布进行了研究,模拟了Si<'+>自注入si晶体的Si<'+>深度分布几率和注入时的能量传递.计算结果表明:在相同注入能量的情况下,注入Si<'+>的分布概率是恒定的,在注入过程中电离能是阻止Si<'+>进一步深入的主导因素.论文还初步讨论了注入剂量和退火温度对发光强度的影响,以及W缺陷的可能形成原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨宇	云南大学光电信息材料研究所	101	377	9.0	12.0
2	王茺	云南大学光电信息材料研究所	50	148	7.0	8.0
3	周原	云南大学光电信息材料研究所	3	2	1.0	1.0
4	韦冬	云南大学光电信息材料研究所	4	3	1.0	1.0