量子阱数量变化对双波长LED作用的研究

• 作者: 张运炎 范广涵
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 量子阱 数量 数值模拟 双波长发光二极管
• 年，卷（期）: 2011,（7）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 814-821
• 分类号: TN248.1
• 语种: 中文

摘要

采用软件理论分析的方法分析了InGaN／GaN量子阱数量变化对双波长发光二极管发光光谱、内量子效率、屯子空穴浓度分布、溢出电流等产生的影响．分析结果表明，量子阱数量的增加会引起载流子分配不均的现象，所以量子阱数量的增加并不能有效地提升载流子复合率、内量子效率和发光强度，还会引起开启电压升高的现象，影响能量转化效率．此外，不同发光波长的量子阱数量的增加会引起发光光谱强度的变化．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范广涵	华南师范大学光电子材料与技术研究所	147	1064	16.0	26.0
2	张运炎	华南师范大学光电子材料与技术研究所	8	34	4.0	5.0