量子阱宽度对蓝光LED性能影响的研究

• 作者: 吴月芳 郭伟玲 陈艳芳 雷亮
• 来源期刊: 照明工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 蓝光LED 光电性能 器件仿真 量子阱
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体照明技术与应用
• 页码范围: 5-9
• 页数: 5页
• 分类号: TN312.8
• 字数: 2295字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969∕j.issn.1004-440X.2017.01.002

摘要

本文采用器件仿真的方法分析了量子阱宽度对于LED光电性能的影响.结果表明:随着阱宽的增加,LED的电流密度变小;在阱宽为5 nm左右时,LED的发光功率最高,但此时器件的波长位于橙色区域内,并且此时器件的发光效率较低;在阱宽为2.5 nm~3.5 nm时,发光效率最大,且波长在蓝光范围内;阱宽一定时,随着电压的增加光谱有一定的蓝移现象.深入分析了发光效率及光谱变化的原因发现,束缚态能级的不同状态是导致光谱发生蓝移的原因,而俄歇复合的增强是导致器件效率下降的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭伟玲	北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室	74	656	10.0	23.0
2	陈艳芳	北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室	6	17	3.0	4.0
3	吴月芳	北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室	3	6	1.0	2.0
4	雷亮	北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室	4	11	2.0	3.0