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摘要:
针对系统级封装技术( SIP,system in package)详细分析了穿透性硅通孔(TSV,through silicon via)的半径、高度和绝缘层厚度等物理结构对于三维系统级封装传输性能的影响,提出了TSV吉赫兹带宽等效电路模型,并提取出其电阻、电容、电感等无源元件值,对于所提出的电路模型进行了时域分析,仿真给出了眼图.
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关键词云
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文献信息
篇名 系统级封装中穿透性硅通孔建模及分析
来源期刊 北京信息科技大学学报(自然科学版) 学科 工学
关键词 系统级封装 穿透性硅通孔 等效电路 参数提取 眼图
年,卷(期) 2011,(3) 所属期刊栏目 专题研究·通信技术
研究方向 页码范围 15-19
页数 分类号 TN454
字数 1969字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1674-6864.2011.03.003
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 许淑芳 北京信息科技大学信息微系统研究所 4 6 2.0 2.0
2 张月霞 北京信息科技大学信息微系统研究所 65 82 5.0 6.0
3 梁磊 北京信息科技大学信息微系统研究所 1 2 1.0 1.0
4 李振松 北京信息科技大学信息微系统研究所 23 22 3.0 3.0
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研究主题发展历程
节点文献
系统级封装
穿透性硅通孔
等效电路
参数提取
眼图
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
北京信息科技大学学报(自然科学版)
双月刊
1674-6864
11-5866/N
大16开
北京市
1986
chi
出版文献量(篇)
2043
总下载数(次)
10
总被引数(次)
11074
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