4H-SiC TPJBS二极管器件结构和器件仿真

• 作者: 张海鹏 王勇 王德君 齐瑞生
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 功率器件 电学特性 器件仿真
• 年，卷（期）: 2011,（9）
• 所属期刊栏目: 器件
• 页码范围: 35-37
• 分类号: TN386
• 字数: 2074字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-100X.2011.09.013

摘要

4H-SiC JBS器件具有通态电压较高、泄漏电流较大、静态功耗较高等缺点.为探索改善这些缺点的理论方法和技术途径,提出一种沟槽P型PN结肖特基势垒复合4H-SiC二极管.采用Silvaco TCAD对该器件的正向导通特性和反向阻断特性进行仿真,仿真结果表明,与具有类似参数的传统4H-SiC JBS相比,该器件具有更低的通态电阻、更小的反向泄漏电流及更低的静态功耗,更适合高频大功率低功耗电力电子系统应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张海鹏	杭州电子科技大学电子信息学院射频电路与系统教育部重点实验室	36	96	5.0	7.0
4	王德君	大连理工大学电子信息与电气工程学部电子科学与技术学院	22	102	4.0	9.0
11	齐瑞生	杭州电子科技大学电子信息学院射频电路与系统教育部重点实验室	3	16	3.0	3.0
12	王勇		1	9	1.0	1.0