氧化硅衬底上高密度锗量子点的微结构研究

• 作者: 刘旭 叶辉 张磊 皇甫幼睿 詹文博
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 锗岛 纳米微结构 分子束外延 二氧化硅 成核
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 纳米技术
• 页码范围: 760-764
• 分类号: TN304.1|TN304.05|0484.1
• 字数: 2435字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2011.06.21

摘要

以化学氧化生成的SiO2缓冲层作为衬底,利用分子束外延(MBE)系统通过直接生长以及后期退火的方式获得了高密度(1011 cm-2)的锗量子点结构.借助于扫描电镜和电子衍射等进一步研究了其生长机理,与传统的S-K生长模式进行比较并给出了清晰的微观结构示意图.拉曼光谱证实此类微结构中有压应力的存在,而退火后的量子点则应力得到释放.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶辉	浙江大学现代光学仪器国家重点实验室	50	406	9.0	18.0
2	刘旭	浙江大学现代光学仪器国家重点实验室	214	1718	22.0	32.0
3	张磊	浙江大学现代光学仪器国家重点实验室	167	1263	18.0	29.0
4	皇甫幼睿	浙江大学现代光学仪器国家重点实验室	2	7	2.0	2.0
5	詹文博	浙江大学现代光学仪器国家重点实验室	1	4	1.0	1.0