界面电荷对C-Si表面钝化质量的影响

• 作者: 叶庆好 孟凡英 张剑 汪建强 高华
• 来源期刊: 光电技术应用
• 学科: 工学
• 关键词: 表面钝化质量 固定电荷 注入水平
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 光电器件与材料
• 页码范围: 28-34
• 分类号: TM914.4
• 字数: 6409字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-1255.2011.03.008

摘要

深入分析了影响晶体硅与钝化介质层界面复合的主要因素:界面态密度(Dit)、介质层表面电荷密度、衬底掺杂类型及掺杂浓度.研究发现,随着载流子注入水平改变,介质层的钝化质量与介质层带电类型和硅片掺杂类型紧密相关.随着载流子注入水平的降低,富含正电荷(负电荷)的钝化介质在P型(N型)硅片上的钝化质量随之降低;富含负电荷(正电荷)的钝化介质在P型(N型)硅片上的钝化质量却保持不变.深入分析了P型(N型)掺杂硅片表面钝化质量随注入水平变化而产生不同变化的原因,并为高效晶体硅电池表面钝化提出指导性意见,对于工作在低注入水平条件下(5×1014 cm-3)的晶体硅电池非常重要.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高华		11	60	5.0	7.0
2	孟凡英	中国科学院上海技术物理研究所	6	16	3.0	4.0
3	汪建强		2	11	2.0	2.0
4	张剑		4	14	2.0	3.0
5	叶庆好	上海交通大学物理系太阳能研究所	6	33	4.0	5.0