光刻工艺中关键流程参数分析

• 作者: 王军 简祺霞 蒋亚东 袁凯
• 来源期刊: 微处理机
• 学科: 工学
• 关键词: 光刻 涂胶 膜厚 均匀性
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 大规模集成电路设计、制造与应用
• 页码范围: 14-17
• 分类号: TN305.7
• 字数: 3375字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2279.2011.06.005

摘要

主要介绍了光刻工艺的基本流程,并分析了光刻工艺中的流程参数及影响光刻质量的主要因素,讨论了两种不同光刻胶在不同转速下的厚度、均匀性及留膜率,提出了光刻工艺中部分常见问题的解决方法.通过工艺优化,确定AZ3100和AZ703两种光刻胶的最佳工艺参数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋亚东	电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	318	2024	18.0	25.0
2	王军	电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	115	936	14.0	26.0
3	袁凯	电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	22	200	9.0	13.0
4	简祺霞	电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	26	1.0	1.0