CNT-FED中光刻工艺的研究

• 作者: 张晓兵 杨夏喜 陈静 雷威
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 光刻 碳纳米管场致发射显示器件 ITO
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 场发射与真空微纳电子会议专辑
• 页码范围: 15-17,29
• 页数: 4页
• 分类号: TN27
• 字数: 2328字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-8935.2006.01.005

摘要

在碳纳米管场致发射显示器件结构中,需要采用光刻的方法制备各种不同的ITO图案和电极图案.本文着重介绍了ITO玻璃的表面处理和光刻过程.实验中采用在紫外曝光条件下,对光刻工艺中影响其刻蚀结果分辨率的各种因素做出了系统分析.这些因素主要包括了对于感光胶的选择,玻璃表面的清洁度,丝网印刷工艺的操作,紫外光曝光时间的控制,酸腐蚀浓度.通过优化实验工艺,得到满足精度要求的精细条纹,得出最佳的光刻条件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	雷威	东南大学电子工程系	89	538	12.0	18.0
2	张晓兵	东南大学电子工程系	87	746	13.0	24.0
3	陈静	东南大学电子工程系	27	108	5.0	9.0
4	杨夏喜	东南大学电子工程系	5	18	2.0	4.0