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嵌入式闪存中浮栅多晶硅CMP制程的研究与改善
嵌入式闪存中浮栅多晶硅CMP制程的研究与改善
作者:
李冠华
黄其煜
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
化学机械研磨
量测图形
嵌入式闪存
碟形凹陷
蚀刻斑
摘要:
随着CMP技术的日益发展和闪存特征尺寸的越来越小以及对多晶硅表面形态及前后层次间套准要求的提高,这一技术也被用于嵌入式闪存产品中浮动栅多晶硅的平坦化。浮动栅多晶硅厚度及表面形态对器件的电性参数及后续工艺影响较大,因此怎样得到一个稳定、厚度均匀及表面形态佳的浮动栅多晶硅显得至关重要。文章就以在90nm嵌入式闪存开发浮动栅CMP过程中出现的多晶硅残余及多晶硅凹陷问题进行原因分析,通过减少化学机械研磨过程中产生的碟形凹陷及提高单个芯片内不同有源区上的多晶硅厚度的均匀性进行实验和研究,使浮动栅研磨后的多晶硅残余和多晶硅凹陷得到明显的改善。
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文献信息
篇名
嵌入式闪存中浮栅多晶硅CMP制程的研究与改善
来源期刊
电子与封装
学科
工学
关键词
化学机械研磨
量测图形
嵌入式闪存
碟形凹陷
蚀刻斑
年,卷(期)
2011,(11)
所属期刊栏目
封装、组装与测试
研究方向
页码范围
4-8,13
页数
分类号
TN305
字数
2291字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1681-1070.2011.11.002
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
黄其煜
37
221
7.0
14.0
2
李冠华
1
0
0.0
0.0
传播情况
被引次数趋势
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献
(0)
共引文献
(0)
参考文献
(0)
节点文献
引证文献
(0)
同被引文献
(0)
二级引证文献
(0)
2011(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
化学机械研磨
量测图形
嵌入式闪存
碟形凹陷
蚀刻斑
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子与封装
主办单位:
中国电子科技集团公司第五十八研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1681-1070
CN:
32-1709/TN
开本:
大16开
出版地:
江苏无锡市惠河路5号(208信箱)
邮发代号:
创刊时间:
2002
语种:
chi
出版文献量(篇)
3006
总下载数(次)
24
总被引数(次)
9543
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