提拉法制备铜单晶研究

• 作者: 娄有信 张怀金 李强 王继扬
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 铜单晶 提拉法 晶体生长 晶体缺陷
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 页码范围: 563-566
• 分类号: O782+.5
• 字数: 1717字
• 语种: 中文

摘要

采用提拉法生长出大尺寸(111)铜单晶,晶体尺寸为ф(12～19)mm×85 mm.通过XRD、金相显微分析讨论了铜单晶的晶体结构与生长缺陷,并采用双臂电桥测定(111)铜单晶的电阻率.结果表明:晶体具有(111)取向、强度高,表明晶体取向良好;蚀坑呈典型三角锥形,位错密度在105～106 cm-2之间;在室温下,(111)铜单晶电阻率为1.289×10-8Ω·m.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王继扬	山东大学晶体材料国家重点实验室	200	1444	21.0	30.0
2	李强	清华大学化学系	310	5294	38.0	67.0
3	张怀金	山东大学晶体材料国家重点实验室	83	477	12.0	17.0
4	娄有信	山东大学晶体材料国家重点实验室	2	6	2.0	2.0