Ni掺杂浓度对硅纳米线光电性质的影响

• 作者: 丁学成 傅广生 梁伟华 王秀丽 王英龙 褚立志 邓泽超 郭建新
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 电子结构 光学性质 第一性原理 Si纳米线 掺杂浓度
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 原子分子物理交叉学科
• 页码范围: 372-378
• 分类号: O469
• 字数: 4357字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2011.02.032

摘要

利用基于密度泛函理论的第一性原理,对不同直径和浓度Ni掺杂硅纳米线的形成能、能带结构、态密度和光学性质进行了计算,结果表明:杂质Ni的形成能随硅纳米线直径的减小和掺杂浓度的降低而下降,这说明直径越大的硅纳米线掺杂越困难,杂质浓度越高的硅纳米线越不稳定.Ni掺杂在费米能级附近及带隙中引入杂质能级,其主要来自Ni的3d轨道,杂质能级扩展成杂质带,改变Ni的掺杂浓度可改变硅纳米线的带隙,改善其导电性.另外,还发现掺杂浓度明显改变了硅纳米线的吸收强度和宽度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅广生	河北大学物理科学与技术学院	184	817	13.0	17.0
2	邓泽超	河北大学物理科学与技术学院	48	123	6.0	8.0
3	褚立志	河北大学物理科学与技术学院	47	155	7.0	10.0
4	丁学成	河北大学物理科学与技术学院	44	89	5.0	7.0
5	梁伟华	河北大学物理科学与技术学院	36	92	6.0	8.0
6	王英龙	河北大学物理科学与技术学院	96	301	9.0	12.0
7	王秀丽	河北大学物理科学与技术学院	9	12	2.0	2.0
8	郭建新	河北大学物理科学与技术学院	23	88	4.0	8.0