CHF3/Ar等离子体刻蚀BST薄膜的机理研究

• 作者: 张国俊 戴丽萍 束平 王刚 王姝娅 钟志亲
• 来源期刊: 科学通报
• 关键词: 钛酸锶钡 反应离子刻蚀 光电子能谱 等离子体
• 年，卷（期）: 2011,（18）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 1477-1480
• 页数: 4页
• 语种: 中文
• DOI: 10.1007/sl1434-011-4561-5

摘要

采用XPS方法,通过对刻蚀前后BST(钛酸锶钡)薄膜表面成分、元素化合态以及原子相对百分含量分析,探讨了CHF3/Ar等离子刻蚀BST薄膜的RIE(反应离子刻蚀)机理.研究结果表明,在刻蚀过程中,金属Ba,Sr,Ti和F等离子体发生化学反应并生成相应的氟化物且部分残余在薄膜表面,因为TiF4具有高挥发特性,残余物几乎没有钛氟化物.然而,XPS表明Ti-F仍然少量存在,认为是存在于Metal-O-F这种结构中,而Ols进一步证实了Metal-O-F的存在.基于原子的相对百分含量,我们发现刻蚀后薄膜表面富集氟,源于高沸点的氟化物BaF2和SrF2沉积,导致刻蚀速度仅达12.86 nm/min.同时并没有发现C-F多聚物的形成,因此去除残余物BaF2和SrF2有利于进一步刻蚀.针对这种分析结果,本文提出对BST薄膜每4 min刻蚀后进行1 minAr等离子体物理轰击方案,发现残余物得以去除.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王刚		35	209	9.0	13.0
2	张国俊		57	231	8.0	11.0
3	戴丽萍		16	54	5.0	6.0
4	钟志亲		12	38	4.0	5.0
5	王姝娅		14	45	4.0	6.0
6	束平		3	3	1.0	1.0