硅片加工表面层损伤检测技术的试验研究

• 作者: 康仁科 张银霞 李大磊 郜伟
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 硅片 加工损伤 检测技术
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 页码范围: 359-364
• 分类号: O78
• 字数: 3711字
• 语种: 中文

摘要

单晶硅片超精密加工表面层损伤较小,检测评价比较困难.为了确定合适的检测技术,对多种硬脆材料表面层质量检测技术进行了系统的试验研究.结果表明,硅片加工表面宏/ 微观形貌可采用各种显微镜及3D表面轮廓仪等进行检测,表面损伤分布可采用择优腐蚀法和分步蚀刻法检测;粗加工和半精加工硅片的损伤深度宜采用角度抛光法检测,而精加工硅片的损伤深度较小,宜采用截面Raman光谱分析和恒定腐蚀速率法检测;损伤层的微裂纹、位错、非晶及多晶相变等微观结构可采用分步蚀刻法、平视和剖视TEM分析法及显微Raman光谱仪检测;表面层宏观残余应力分布可用显微Raman光谱仪检测,其微观应变可采用高分辨X射线衍射仪的双品摇摆曲线的半高宽值来衡量.综合以上检测技术可以对硅片加工表面层损伤进行系统的评价.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	康仁科	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	165	2562	24.0	44.0
2	李大磊	郑州大学机械工程学院	63	249	8.0	13.0
3	张银霞	郑州大学机械工程学院	37	170	8.0	11.0
4	郜伟	郑州大学机械工程学院	16	101	5.0	9.0