多孔石英基体上CVD法沉积氮化硅涂层的工艺、结构与性能研究

• 作者: 李家亮 牛金叶
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 物理学
• 关键词: CVD 多孔石英陶瓷 氮化硅涂层
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 试验与技术
• 页码范围: 1197-1202,1207
• 分类号: O484.1
• 字数: 4251字
• 语种: 中文

摘要

以甲硅烷(20％甲硅烷+80％氢气)和氨气作为反应前驱体,选择孔隙率为20％左右的多孔石英陶瓷基体,采用CVD法在多孔石英基体表面制备了氮化硅涂层.研究了沉积反应温度、反应压力、反应气体配比以及沉积时间等工艺参数对附着力的影响,确定了CVD法制备氮化硅涂层的最佳工艺参数,通过对所得涂层及复合材料进行抗弯强度和介电性能的表征,探讨了氮化硅涂层对多孔石英基体力学性能和介电性能的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李家亮	山东理工大学化学工程学院	12	125	5.0	11.0
2	牛金叶	山东理工大学化学工程学院	13	130	5.0	11.0