金属援助硅化学刻蚀法可控制备硅纳米线阵列

• 作者: 吕文辉 张帅
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 硅纳米线阵列 金属援助硅化学刻蚀 形貌控制
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 363-365,397
• 分类号: TN40
• 语种: 中文

摘要

基于金属援助硅化学刻蚀机理,成功地发展了一种形貌可控地制备硅纳米线阵列的有效方法.在该方法中,通过银纳米颗粒催化层的微结构和硅化学刻蚀的时间来调控硅纳米线阵列的形貌.扫描电子显微镜(SEM)形貌表征的实验结果证实:硅纳米线阵列的孔隙率依赖银纳米颗粒催化层的微结构,硅纳米线阵列的高度依赖于硅的刻蚀时间.这种形貌可控地制备单晶硅纳米线阵列的方法简单、有效,可用于构筑硅纳米线光伏电池等各种硅基纳米电子器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕文辉	湛江师范学院物理系	6	28	4.0	5.0
3	张帅	湛江师范学院科技处	5	28	4.0	5.0