关于增加磁阻式随机存取存储器存储密度技术

• 来源期刊: 电脑与电信
• 学科: 工学
• 关键词: 磁阻式随机存取存储器 内存技术 存储密度 随机存取内存 Random Access Memory 快闪存储器
• 年，卷（期）: 2011,（11）
• 所属期刊栏目: 国际合作项目推荐
• 页码范围: 27-27
• 分类号: TN401
• 字数: 940字
• 语种: 中文

摘要

磁阻式随机存取内存（Magnetoresistive Random Access Memory，缩写为MRAM），是一种非挥发性内存技术，从1990年代开始发展。这个技术的拥护者认为，这个技术可望取代快闪存储器与DRAM，成为真正的通用型内存（Universalmemory）。但由于成本和存储密度的限制，一直是这种存储介质发展的局限。