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摘要:
本文提出了在一款片上系统(SOC)芯片设计中的多通道NAND闪存控制器实现方案。在对NAND闪存控制器的结构和实现方法的研究上,闪存控制器利用带两个16K字节缓冲器的高效率缓冲管理控制器来管理4个通道,每个通道可以连接4片闪存芯片。控制器内嵌16比特BCH纠错模块,支持AMBAAHB总线与MLC闪存。文中还介绍了行地址计算与快闪存储器存储单元的初始化。结果分析里给出了控制器的仿真波形、功耗分析和综合结果。在一个存储组与一个通道的配置条件下,控制器的实现只需要71K逻辑门。
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文献信息
篇名 多通道NAND闪存控制器的硬件实现
来源期刊 中国集成电路 学科 工学
关键词 NAND闪存 BCH纠错 AHB总线 缓冲
年,卷(期) 2011,(9) 所属期刊栏目 设计
研究方向 页码范围 40-47
页数 分类号 TP333
字数 4580字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1681-5289.2011.09.052
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈宏铭 北京大学上海微电子研究院 8 47 4.0 6.0
2 程玉华 北京大学上海微电子研究院 10 47 4.0 6.0
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研究主题发展历程
节点文献
NAND闪存
BCH纠错
AHB总线
缓冲
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
中国集成电路
月刊
1681-5289
11-5209/TN
大16开
北京朝阳区将台西路18号5号楼816室
1994
chi
出版文献量(篇)
4772
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7210
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