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摘要:
采用电化学法及原电池法制备了多孔硅样品.通过在阳极氧化反应中HF溶液浓度、电流密度和反应时间的不同来控制多孔硅的孔隙率和膜厚.实验结果表明:不同电流密度下制备的多孔硅样品,孔隙度有相同的变化趋势,刚开始增加,然后减少;多孔硅的生长速度随电流密度的增加而升高.在多孔硅样品表面封装BST热释电敏感元件进行性能测试,结果表明多孔硅绝热性能与微桥结构接近.
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关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 红外焦平面多孔硅绝热层制备及应用
来源期刊 华中科技大学学报:自然科学版 学科 工学
关键词 多孔硅 孔隙率 绝热层 导热系数 电化学腐蚀
年,卷(期) 2011,(11) 所属期刊栏目 电子与信息工程
研究方向 页码范围 42-46
页数 分类号 TN405
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 姜胜林 华中科技大学电子科学与技术系 101 727 15.0 21.0
2 张丽芳 玉溪师范学院信息技术工程学院 23 43 3.0 6.0
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研究主题发展历程
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多孔硅
孔隙率
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电化学腐蚀
研究起点
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期刊影响力
华中科技大学学报(自然科学版)
月刊
1671-4512
42-1658/N
大16开
武汉市珞喻路1037号
38-9
1973
chi
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