Si基Ge外延薄膜材料发光性能研究进展

• 作者: 李成 赖虹凯 郑元宇 陈城钊 陈松岩 黄诗浩
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: Si基外延Ge 应变 掺杂 光致发光 电致发光
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 动态综述
• 页码范围: 304-308
• 分类号: TN304.1
• 语种: 中文

摘要

理论和实验研究表明,在一定的应变和掺杂浓度下,Si基外延Ge薄膜能实现1.55μm光通信波段的直接带隙发光.讨论了Si基外延Ge材料的生长技术及其能带结构,结合本小组近年来在该领域所取得的成果,介绍了国内外各研究机构对Ge薄膜发光材料和器件的研究进展,展望了未来的发展趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈松岩	厦门大学物理系半导体光子学研究中心	68	248	8.0	12.0
2	赖虹凯	厦门大学物理系半导体光子学研究中心	17	32	3.0	5.0
3	李成	厦门大学物理系半导体光子学研究中心	45	140	7.0	11.0
4	郑元宇	厦门大学物理系半导体光子学研究中心	2	2	1.0	1.0
5	黄诗浩	厦门大学物理系半导体光子学研究中心	2	4	2.0	2.0
6	陈城钊	厦门大学物理系半导体光子学研究中心	1	2	1.0	1.0