常温低氮氩比下(002)择优取向氮化铝薄膜的制备

• 作者: 刘望 孙化冬 张伟 张立东 彭冬香 汪渊
• 来源期刊: 四川大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: AlN薄膜 射频反应磁控溅射 择优取向 沉积速率
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 1386-1390
• 分类号: TN305.92
• 字数: 3159字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0490-6756.2011.06.029

摘要

常温下采用反应射频磁控溅射方法在玻璃基底上制备出(002)单一择优取向柱状结构的氮化铝薄膜,通过XRD分析发现溅射功率为80 W、溅射气压为0.20 Pa、氮气与氩气比为5％时,氮化铝(002)晶体衍射峰最强,通过FESEM表面及截面分析表明在此条件下得到的氮化铝薄膜表面较平整、致密性较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张伟	四川大学原子核科学技术研究所教育部辐射物理及技术重点实验室	244	1768	20.0	33.0
2	汪渊	四川大学原子核科学技术研究所教育部辐射物理及技术重点实验室	11	9	1.0	2.0
3	张立东	四川大学原子核科学技术研究所教育部辐射物理及技术重点实验室	2	1	1.0	1.0
4	孙化冬	四川大学原子核科学技术研究所教育部辐射物理及技术重点实验室	1	1	1.0	1.0
5	刘望	四川大学原子核科学技术研究所教育部辐射物理及技术重点实验室	2	2	1.0	1.0