c轴择优取向AlN薄膜的制备研究

• 作者: 刘兴钊 宁金叶 邓新武
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 物理学
• 关键词: AlN MOCVD 压电薄膜
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 36-38
• 页数: 3页
• 分类号: O484.1
• 字数: 2449字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2009.05.012

摘要

采用MOCVD法在蓝宝石(0001)单晶衬底上生长AlN压电薄膜.用XRD和原子力显微(AFM)技术表征薄膜的微观结构.研究了衬底温度、TMA和NH3流量、反应室气压对AlN薄膜织构特性的影响,并对薄膜生长的工艺参数进行了相应优化.结果表明:在优化条件下制备的AlN薄膜高度c轴择优取向,(0002)峰摇摆曲线半高宽仅为0.10°,且薄膜表面平整,椭圆偏振法测出其折射率为2.0～2.4.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓新武	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	17	97	5.0	9.0
2	刘兴钊	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	56	310	9.0	14.0
3	宁金叶	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	4	1.0	1.0