用于FBAR的C轴取向AlN压电薄膜的研制

• 作者: 王宇辉 胡作启 谢子健 赵旭
• 来源期刊: 华中科技大学学报：自然科学版
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜体声波谐振器 AlN压电薄膜 C轴择优取向 低温退火 表面粗糙度
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 材料与信息工程
• 页码范围: 6-9
• 分类号: TN804
• 字数: 1653字
• 语种: 中文

摘要

用射频（RF）反应磁控溅射法,在硅基片上制备出了具有较低表面粗糙度、C轴择优取向的AlN压电薄膜.讨论了溅射功率对AlN压电薄膜结构和形貌的影响、氮气含量对AlN压电薄膜成分的影响以及低温退火对薄膜表面粗糙度的影响.XRD和SEM结果表明：随溅射功率增大,AlN压电薄膜C轴择优取向增强;当功率为350W时,AlN压电薄膜（002）面摇摆曲线半高宽为4.5°,薄膜表现出明显的柱状结构.EDS成分分析表明：随氮气含量的提高,AlN压电薄膜的元素比接近于化学计量比.低温退火工艺的引入将薄膜表面的均方根粗糙度由4.8nm降低到2.26nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵旭	华中科技大学电子科学与技术系	22	92	5.0	9.0
2	胡作启	华中科技大学电子科学与技术系	17	60	5.0	7.0
3	谢子健	华中科技大学电子科学与技术系	3	6	1.0	2.0
4	王宇辉	华中科技大学电子科学与技术系	3	6	1.0	2.0