End-Hall与APS离子源辅助沉积制备的膜特性

• 作者: 熊胜明 艾万君
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 物理学
• 关键词: 薄膜 HfO2薄膜 离子束辅助沉积 离子源 薄膜特性
• 年，卷（期）: 2011,（11）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 208-213
• 页数: 6页
• 分类号: O484.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL201138.1107001

摘要

利用离子束辅助沉积(IAD)技术制备了单层HfO2薄膜,离子源分别为End-Hall与APS离子源.采用Lambda900分光光度计、可变角光谱椭圆偏振仪(V-VASE)、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、ZYGO干涉仪和激光量热计测试了薄膜的透射光谱、光学常数、晶体结构、表面形貌和吸收(1064 nm).实验结果表明,薄膜特性与辅助离子源及起始膜料有着密切的关系.End-Hall离子源辅助沉积制备的薄膜出现轻微的折射率不均匀性.两种离子源辅助沉积制备的薄膜折射率均较高,吸收损耗小,薄膜均为单斜晶相.不同离子源辅助沉积条件下,利用金属Hf为起始膜料制备的薄膜表面平整度较好,其均方根粗糙度和总积分散射均相对较小.与End-Hall离子源相比,APS离子源辅助沉积制备的薄膜吸收相对较小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	熊胜明	中国科学院光电技术研究所	44	353	11.0	16.0
2	艾万君	中国科学院光电技术研究所	5	21	3.0	4.0