硅薄膜材料的光电导谱分析

• 作者: 李伟民 郝会颖
• 来源期刊: 光谱实验室
• 学科: 物理学
• 关键词: 硅薄膜 光电导谱 缺陷态密度
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 页码范围: 282-285
• 分类号: O433.5
• 字数: 1682字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-8138.2011.01.069

摘要

利用甚高频等离子体增强化学气相沉积法(VHF-PECVD),通过改变氢稀释比制备出一系列硅薄膜样品.由弱光条件下光电导谱分析了材料的吸收系数及缺陷态密度,结果表明随着氢稀释比的增加,材料的长波响应增大,缺陷态密度(Ns)逐渐减小,当大于16.7时,Ns开始增加,这是杂质与晶粒间界相互作用的结果.