基于噪声消除技术的超宽带CMOS低噪声放大器设计

• 作者: 曾烈光 苏历 金德鹏 马翔
• 来源期刊: 传感器与微系统
• 学科: 工学
• 关键词: 超宽带 低噪声放大器 噪声消除 电容交叉耦合
• 年，卷（期）: 2011,（11）
• 所属期刊栏目: 设计与制造
• 页码范围: 122-124,127
• 分类号: TN402
• 字数: 1939字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-9787.2011.11.037

摘要

为满足3.5 GHz单载波超宽带无线接收机的射频需求,设计了一种工作在3～4 GHz的超宽带低噪声放大器.电路采用差分输入的CMOS共栅级结构,利用MOS管跨导实现宽带输入匹配,利用电容交叉耦合结构和噪声消除技术降低噪声系数,同时提高电压增益.分析了该电路的设计原理和噪声系数,并在基于SMIC 0.18 μm CMOS射频工艺进行了设计仿真.仿真结果表明:在3～4 GHz频段内,Sn和S22均小于-10 dB,S21大于14dB,带内起伏小于0.5dB,噪声系数小于3dB；1.8V电源电压下,静态功耗7.8mW.满足超宽带无线接收机技术指标.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	金德鹏	清华大学电子工程系	84	380	10.0	15.0
2	曾烈光	清华大学电子工程系	106	647	12.0	20.0
3	马翔	清华大学电子工程系	3	12	2.0	3.0
4	苏历	清华大学电子工程系	1	6	1.0	1.0