Si基CeO2/Tb4O7超晶格薄膜发光特性的研究

• 作者: 丁甲成 王永生 王申伟 衣立新 郭逦达 高靖欣
• 来源期刊: 光谱学与光谱分析
• 学科: 物理学
• 关键词: 超品格 光致发光 能量传递 浓度猝灭
• 年，卷（期）: 2011,（8）
• 页码范围: 2067-2070
• 分类号: O472+.3
• 字数: 2354字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3964/j.issn.1000-0593(2011)08-2067-04

摘要

利用电子束蒸发技术在P型硅衬底上沉积了CeO2 /Tb4 O7超品格样品,将样品置于弱还原气氛中高温退火后,观察到薄膜样品在488,544,588以及623 nm左右出现Tb3+的四个典型发光峰.结合激发光谱、吸收光谱以及XRD分析表明,CeO2薄膜在高温下失氧,发生Ce4+→Ce3+转变,Ce3+吸收紫外光后,Ce3+与Tb3+发生能量传递,产生发光.通过改变Tb4 O7薄膜厚度,研究了Tb4 O7层厚对超晶格发光的影响,结果显示在Tb4 O7层厚为0.5nm时,发光强度最大；Tb4 O7层厚大于0.5nm时,由于Tb3+间的能量传递,产生浓度猝灭.同时,对超晶格样品在900～1 200℃之间进行了不同温度、不同时间的退火,结果显示在1 200℃下进行2h的退火,薄膜发光强度达到最大.研究认为,Ce3+的浓度、氧空位缺陷以及Ce3+与Tb3+间距的变化是导致这一结果的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王申伟	北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室	8	37	3.0	6.0
2	衣立新	北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室	11	40	3.0	6.0
3	丁甲成	北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室	2	0	0.0	0.0
4	高靖欣	北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室	3	0	0.0	0.0
5	郭逦达	北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0