不同退火升温速率下PZT铁电薄膜中的残余应力分析

• 作者: 姬洪 左长明 王敬宇
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: X射线衍射 应力 氧空位 晶粒尺寸
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 78-81
• 分类号: TB383
• 字数: 3133字
• 语种: 中文

摘要

室温下利用射频磁控溅射在Pt/Ti/SiO3/Si(100)上淀积了约200nm厚的PZT铁电薄膜,在N2(纯度为99.999%)气氛中以不同升温速率进行快速热退火,采用X射线衍射法表征其残余应力.结果表明,薄膜中的应力不是二维应力而是三维应力,且除了切应力σ22以外的大部分应力张量的分量为张应力;薄膜中张应力的增大主要是由于氧空位与晶粒尺寸共同作用的结果,而该应力的减小是由于晶粒尺寸在薄膜应力演变过程中占主导地位所致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姬洪	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	20	67	4.0	7.0
2	左长明	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	8	14	3.0	3.0
3	王敬宇	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	5	1.0	2.0